| 研究課題/領域番号 |
23760005
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 群馬大学 |
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研究代表者 |
後藤 民浩 群馬大学, 理工学研究院, 准教授 (10311523)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 硫化物半導体 / 硫化すず / バンドギャップ / 光吸収係数 / 太陽電池材料 / 硫化プロセス / ゼーベック係数 / ギャップ内準位 / 半導体薄膜 / 硫化 |
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| 研究概要 |
太陽電池の光吸収層として適した光学特性を有する硫化物半導体薄膜の光・電子物性について調べた。硫黄粉末量、反応温度を変化させた粉末試料を作製し、真空蒸着法で薄膜した試料について光学顕微鏡を用い表面の平坦性の良い作製条件を見出した。硫化すず(SnS)薄膜はバンドギャップ1.30-1.36 eV、アーバックエネルギー0.5-1.2 eVであり、ミッドギャップ領域に弱光吸収を示した。ミッドギャプ吸収は400℃程度の熱処理により2%以下に減少した。熱処理により局在準位密度が減少し、キャリア移動度が大幅に向上が生じている可能性があり、400℃程度の熱処理が膜の高品質化に有効である。
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