GaAs高指数面および無極性面基板上、窒化物半導体結晶の配向メカニズムの解明

• 研究課題/領域番号: 23760008
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 村上 尚 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 准教授 (90401455)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: エピタキシャル成長 / 窒化インジウム / 半極性 / III族窒化物半導体 / 高指数面

研究概要

本研究では、様々な面指数を有するGaAsを初期基板として窒化物半導体結晶の成長を行い、半極性面成長の検討を行った。平成23年度は、GaAs(113)A、(113)Bおよび無極性面GaAs(110)上へのInN成長を行い、その配向および双晶抑制メカニズムを解明した。平成24年度には、その他の指数面であるGaAs(112)A、(112)B、(114)A、(114)B上へのInN成長について検討を行った。その結果、当初の予想通りいずれの指数面上への成長においても比較的高温での成長においてはInN[0001]方向がGaAs[111]方向に平行となるように配向し、結晶表面には様々な面指数を有するInNを成長することに成功した。また、InNの極性による熱安定性の違いまたはキャリアガス中への微量水素添加を利用して結晶面内に発生する双晶の混入も抑制できることを明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y.Kumagai, A. Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol. 367 ページ: 122-125
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuro Hotta, Yoshinao Kumagai Akinori Koukitu, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: Vol. 10 ページ: 472-475
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides (2013)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: Vol.10 ページ: 413-416
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides (2013)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 10 号: 3 ページ: 413-416
  • DOI: 10.1002/pssc.201200695
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 367 ページ: 122-125
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Jinqiao Xie, Ramon Collazo, Hisashi Murakami, Hiroshi Okamoto, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: Vol. 5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: Vol. 5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of growth temperature on the twin formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: Vol.9 ページ: 677-680
  • 査読あり
• [雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術-HVPE成長を中心にして- (2012)
  • 著者名/発表者名: 纐纈明伯,熊谷義直,村上尚
  • 雑誌名: 鉱山 巻: 700巻 ページ: 25-34
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 5 ページ: 0555041-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.055504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H_2 and N_2 (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Igi, M. Ishizuki, R. Togashi, H. Murakami, K. Takada, A. Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol.350 号: 1 ページ: 60-65
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.12.023
  • 査読あり
• [雑誌論文] Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: (印刷中) ページ: 197-200
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.10.014
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport (2012)
  • 著者名/発表者名: Toru Nagashima
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 5 号: 12 ページ: 1255011-3
  • DOI: 10.1143/apex.5.125501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 10 号: 3 ページ: 472-475
  • DOI: 10.1002/pssc.201200685
  • 査読あり
• [雑誌論文] 窒化物化合物半導体の厚膜結晶成長技術―HVPE成長を中心にして― (2012)
  • 著者名/発表者名: 纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
  • 雑誌名: 鉱山 巻: 700 ページ: 25-34
  • 査読あり
• [雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas (2011)
  • 著者名/発表者名: H.C. Cho, M. Suematsu, H. Murakami, Y.Kumagai, R. Toba, A. Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol. 318 ページ: 479-482
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy (2011)
  • 著者名/発表者名: Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol. 318 ページ: 441-445
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE (2011)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 318 号: 1 ページ: 479-482
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.027
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Tajima, C. Echizen, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.50, No.5 号: 5R ページ: 055501-055501
  • DOI: 10.1143/jjap.50.055501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl_3 gas as a group III precursor (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamane, K.Hanaoka, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 8 号: 5 ページ: 1471-1474
  • DOI: 10.1002/pssc.201000902
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 8 号: 5 ページ: 1577-1580
  • DOI: 10.1002/pssc.201000867
  • 査読あり
• [雑誌論文] Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas (2011)
  • 著者名/発表者名: H.C.Cho, M.Suematsu, H.Murakami, Y.Kumagai, R.Toba, A.Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 8 号: 7-8 ページ: 2025-2027
  • DOI: 10.1002/pssc.201000951
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: J. Tajima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 巻: Vol.8No.7-8 号: 7-8 ページ: 2028-2030
  • DOI: 10.1002/pssc.201000954
  • 査読あり
• [雑誌論文] First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces (2011)
  • 著者名/発表者名: Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 8 号: 7-8 ページ: 2267-2269
  • DOI: 10.1002/pssc.201000896
  • 査読あり
• [雑誌論文] Two-Step Growth of (0001) ZnO Single-Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Kouikitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 50 号: 12R ページ: 125503-125503
  • DOI: 10.1143/jjap.50.125503
  • NAID: 40019141129
  • 査読あり
• [学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE-Is it possible to grow InGaN by HVPE?- (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Koukitu, K. Hanaoka, H. Murakami, Y.Kumagai
  • 学会等名: 2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2012)
  • 発表場所: Meijo University(愛知県)
  • 年月日: 2013-02-28
• [学会発表] InGaN成長組成の面方位依存性に関する理論的考察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 藤村侑,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)
  • 年月日: 2012-11-10
• [学会発表] 纐纈明伯,HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵,山本翔,K.F.Karlsson,村上尚,熊谷義直,P.O.Holtz
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)
  • 年月日: 2012-11-09
• [学会発表] Selective MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Tetsuro Hotta, Mayu Suematsu, Tadashi Ohachi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center(北海道)
  • 年月日: 2012-10-16
• [学会発表] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Murakami, S. Takenaka, T. Hotta, Y. Kumagai, A. Koukitu
  • 学会等名: The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg(ロシア)
  • 年月日: 2012-07-19
• [学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Hirasaki, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
  • 学会等名: The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: St. Petersburg(ロシア)
  • 年月日: 2012-07-17
• [学会発表] GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村上尚,堀田哲郎,富樫理恵,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2012-04-28
• [学会発表] GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長 (2012)
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎,富樫理恵,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2012-04-28
• [学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎末松真友,竹中佐江,冨樫理恵,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-26
• [学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎 末松真友，竹中佐江，冨樫 理恵, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第59回 応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
• [学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(10-13)低温成長への水素添加の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹中佐江,末松真友,堀田哲郎,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館(東京都)
  • 年月日: 2011-12-15
• [学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 末松真友,竹中佐江,堀田哲郎,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館(東京都)
  • 年月日: 2011-12-15
• [学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, H.-C. Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
  • 発表場所: SECC, Glasgow(スコットランド)
  • 年月日: 2011-07-13
• [学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村上尚,富樫理恵,稲葉克彦,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)
  • 年月日: 2011-06-17
• [学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎,末松真友,趙賢哲,富樫理恵,稲葉克彦,村上尚,熊谷義直,纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)
  • 年月日: 2011-06-17
• [学会発表] In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 村上尚, 富樫理恵, 稲葉克彦, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会(招待講演)
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎, 末松真友, 趙賢哲, 富樫理恵, 稲葉克彦, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吉田崇, 阿部創平, 土屋正樹, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, H.-C. Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
  • 発表場所: SECC, Glasgow, Scotland
• [学会発表] その場重量測定法を用いたサファイア表面の反応メカニズムの解明 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吉田崇、富樫理恵、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
  • 学会等名: 科学研究費補助金・特定領域研究・公開シンポジウム 窒化物光半導体のフロンティア～材料潜在能力の極限発現～
  • 発表場所: 東京ガーデンパレス
• [学会発表] HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山本翔, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 山口智弘, 荒木努, 名西やすし, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
  • 発表場所: つくば国際会議場
• [学会発表] AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 添田邦光, 酒井美希, 関口修平, 久保田有紀, 永島徹, 村上尚, 木下亨, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
  • 発表場所: つくば国際会議場
• [学会発表] サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解およびAlN形成の熱力学的検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 国崎敦, 猪木孝洋, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
  • 発表場所: つくば国際会議場
• [学会発表] 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 猪木孝洋, 国崎敦, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 柳裕之, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第41回結晶成長国内会議(NCCG-41)
  • 発表場所: つくば国際会議場
• [学会発表] MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 末松真友, 竹中佐江，堀田哲郎，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館
• [学会発表] MOVPE法を用いた半極性InN(1013)低温成長への水素添加の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 竹中佐江, 末松真友，堀田哲郎，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会結晶工学分科会主催2011年・年末講演会
  • 発表場所: 学習院創立百周年記念会館
• [学会発表] GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長
  • 著者名/発表者名: 堀田哲郎
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
• [学会発表] 様々なハロゲン化物を原料に用いたInGaN-HVPE成長の熱力学解析
  • 著者名/発表者名: 平崎貴英
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
• [学会発表] GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果
  • 著者名/発表者名: 村上尚
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
• [学会発表] GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵
  • 学会等名: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
  • 招待講演
• [学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki
  • 学会等名: The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: Hotel "Saint-Petersburg", St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami
  • 学会等名: The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
  • 発表場所: Hotel "Saint-Petersburg", St. Petersburg, Russia
• [学会発表] Improvement of crystalline and optical properties of InN grown on nitrided (0001) sapphire with high NH3 input partial pressures by HVPE
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] ２段階原料生成機構を有する新規HVPE法によるInNの高速成長の検討
  • 著者名/発表者名: 今井亮太
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] 水素・窒素混合雰囲気下の高温熱処理によるサファイア表面上AlNウィスカーの形成メカニズム
  • 著者名/発表者名: 花形祥子
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] バルクPVT基板上HVPE成長によるAlN自立基板の作製
  • 著者名/発表者名: 坂巻龍之介
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] HVPE成長フリースタンディングAlN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価
  • 著者名/発表者名: 岡本浩
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] PVT基板上に成長したCドープHVPE法AlN厚膜の光学特性と構造特性
  • 著者名/発表者名: 永島徹
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] ハライド気相成長法によるm面ZnOバルク基板上へのホモエピタキシャルZnOの成長
  • 著者名/発表者名: 伊佐雄太
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
• [学会発表] Homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on bulk AlN substrates prepared by PVT
  • 著者名/発表者名: Ryunosuke Sakamaki
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] High-temperature heat-treatment of c-, a-, r- and m-plane sapphire substrates in mixed gases of H2 and N2
  • 著者名/発表者名: Kazushiro Nomura
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] Effect of high NH3 input partial pressure on hydride vapor phase epitaxy of InN using nitrided (0001) sapphire substrates
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
  • 著者名/発表者名: Ryota Imai
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AlN layers grown on PVT AlN substrates
  • 著者名/発表者名: Toru Nagashima
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan
• [学会発表] High-Speed Growth of InN Using a Two-Stage Source Generation HVPE System
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi
  • 学会等名: Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tohoku University, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Preparation of low dislocation density and deep-UV transparent AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai
  • 学会等名: Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Tohoku University, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] 2段階原料生成HVPE法によるGaN/sapphire(0001)テンプレート上InN成長
  • 著者名/発表者名: 今井亮太
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNウェーハーの作製
  • 著者名/発表者名: 坂巻龍之介
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] 超高温熱処理サファイア表面の水素・窒素混合ガスとの反応によるAlNウィスカー形成メカニズム
  • 著者名/発表者名: 花形祥子
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] InGaN成長組成の面方位依存性に関する理論的考察
  • 著者名/発表者名: 藤村侑
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] HVPE法によるm面ZnO基板上へのZnO成長における表面オフ方向の影響
  • 著者名/発表者名: 伊佐雄太
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス
• [学会発表] Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai
  • 学会等名: 2012 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Doubletree by Hilton Orlando at SeaWorld, Orlando, USA
  • 招待講演
• [学会発表] Thermodynamic analysis of HVPE -Is it possible to grow InGaN by HVPE?-
  • 著者名/発表者名: Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2012 Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors (MSN2012)
  • 発表場所: Meijo University, Japan
  • 招待講演
• [図書] GaNパワーデバイスの技術展開,サイエンス&テクノロジー (2012)
  • 著者名/発表者名: 纐纈明伯,熊谷義直,村上尚
  • 総ページ数: 264
• [図書] GaNパワーデバイスの技術展開 (2012)
  • 著者名/発表者名: 纐纈明伯, 熊谷義直, 村上尚
  • 総ページ数: 264
  • 出版者: サイエンス＆テクノロジー
• [備考]
  • URL: http://koukitu-lab.jpn.org/