| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| 研究概要 |
新規ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム材料系に着目し,材料の開拓に努めた.特に最安定のβ型酸化ガリウム対して注力し,電子デバイス応用として導電性制御とバンドギャップ制御を行った.また,光応用として単結晶の光触媒特性を詳細に評価した.一方,準安定相であるα,γ型酸化ガリウム薄膜のエピタキシャル安定化に取り組み成功した.さらに複合酸化物である酸化亜鉛ガリウムの単相単結晶薄膜を作製し,物性を明らかにした.
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