| 研究課題/領域番号 |
23760016
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 (2012-2013)
岡山大学 (2011) |
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研究代表者 |
石山 武 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40314653)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | シリコン / エルビウム / 赤外発光 / シリコンフォトニクス / シリコン系赤外発光 |
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| 研究概要 |
近年、Siをベースとした赤外発光材料の開発が行われている。本研究では、Si基板上へErSiO化合物を成長し、その発光特性を調べた。簡単な真空蒸着法による試料作製の結果、Er3+イオンの4f殻電子系からの1.5 μm におけるErに関連する発光ピークを室温において観測することができた。ErSiOの結晶成長温度は1200度が最適であり、室温PL強度も強いことが分かった。XRD測定結果では、Er2SiO5と対応する回折ピークを確認したが、同時にEr酸化物やErシリサイドなどの回折ピークもみられた。今回観測されたPL発光は、ErSiO結晶中の特定のEr発光中心からの発光が支配的であると考えられる。
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