| 研究課題/領域番号 |
23760021
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
尾沼 猛儀 東京工業高等専門学校, 一般教育科, 准教授 (10375420)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 表面再結合 / 窒化ガリウム / 酸化亜鉛 酸化ガリウム / 再結合ダイナミクス / 半導体物性 / 結晶工学 / 酸化ガリウム / 酸化亜鉛 / 表面プラズモン |
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| 研究概要 |
本研究では、これまで窒化物半導体研究において殆ど注視されていなかった表面再結合過程に注目した。GaN基板の+c、-c表面に加え、非極性(m)表面の時間分解フォトルミネセンス測定を行い、得られた結果を、表面と結晶内部(バルク)に対するレート方程式をもとに解析したところ、表面再結合レートが表面付近のバンドベンディングにより変化することが分かった。ZnOでも同様な結果が得られたことから、これらは、窒化物(有極性)半導体特有の現象であることが分かった。
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