| 研究課題/領域番号 |
23760026
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
関 宗俊 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (40432439)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 自然超格子 / フェライト薄膜 / パルスレーザー堆積法 / フェライト / 酸化物薄膜 |
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| 研究概要 |
二次元三角格子・層状酸化物(In,R)Fe2O4の薄膜を作製し、その電気・磁気特性を調べた。試料は半導体的な挙動を示し、In-OおよびFe-Oの三角格子面の電子が伝導に寄与することを見出した。また、酸化雰囲気中ではRFe2O4とは別の二次元三角格子構造を持つRFeO3が成長することを見出した。このRFeO3において、不純物イオンを添加することにより、電気磁気効果および光誘起磁性が発現することが分かった。これは、不純物添加あるいは光照射によりFeイオンの価数が変化し、あらたな電荷秩序相が形成されたためだと考えられる。
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