| 研究課題/領域番号 |
23760039
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
前川 雅樹 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, 研究副主幹 (10354945)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2013年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 陽電子マイクロビーム / 空孔型欠陥 / 空間分布 / ＥＢＩＣ測定 / 欠陥準位 / 再結合中心 / イオン照射 / EBIC測定 / イオン注入 |
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| 研究概要 |
本研究は、我々が開発した世界最高レベルの収束度を持つ陽電子マイクロビーム装置に、電子ビーム誘起電流(EBIC)測定回路を付加することで、半導体試料に存在する欠陥の評価を行うことを目的とした。まずEBIC測定系を構築し、欠陥コントラストを検出しながら同時に陽電子消滅法で消滅γ線を測定するシステムを構築した。マスキングを施すことで部分的にHe照射したSi試料の測定では、EBIC法・陽電子法ともに照射領域でコントラストが発現した。消滅γ線の精密測定から欠陥構造を推定したところHe原子が充填された複空孔であることが分かり、キャリア再結合中心が空孔型欠陥と関連があることが分かった。
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