| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| 研究概要 |
薄膜Pb[Zr,Ti]O_3:PZTの2層構造であるPZT/PZTバイモルフ構造のMEMSデバイスへの応用を目的とした.スパッタ法による成膜において,2層のPZT薄膜の成膜温度および電極金属の構造を含む成膜条件の最適化により,5.4um厚のPZT/PZT構造の成膜に成功した.電気特性・圧電特性評価より,従来の単層成膜したPZTと同等の特性を有しており,上下層のPZTが極めて一致した特性を持つことを確認した.MEMSミラーを試作し,電圧印加時の変位を測定した結果,単層のみを駆動するユニモルフ駆動時と比較してバイモルフ駆動では2倍の変位が得られた.加えて,薄膜の密着性がMEMSデバイス利用に際し十分であることを確認した.
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