| 研究課題/領域番号 |
23760283
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 筑波大学 (2013)
奈良先端科学技術大学院大学 (2011-2012) |
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研究代表者 |
矢野 裕司 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (40335485)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / MOSFET / 界面準位 / しきい値変動 / リン / 炭化珪素 |
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| 研究概要 |
高性能ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴを実現するためには、ＳｉＣ／絶縁膜界面欠陥を徹底的に低減する必要がある。本研究では、申請者らが見出した界面へのリン導入を追及することに加え、窒素や水素を含むガスで複合処理することで界面欠陥の徹底的な低減を試み、ＭＯＳデバイスのチャネル移動度やしきい値電圧の変動および絶縁膜の信頼性などに与える影響を調査した。その結果、リンと水素の複合処理によりチャネル移動度は大きく向上し、リンと窒素の複合処理やリンを界面に局在させることにより、酸化膜への電子注入耐性の向上に成功した。また、種々のバイアス条件や温度におけるしきい値電圧変動の特性から、界面のトラップモデルを構築した。
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