積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム 薄膜の低温形成

• 研究課題/領域番号: 23760284
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 奈良先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 堀田 昌宏 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (50549988)
• 研究期間 (年度): 2011 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2011年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
• キーワード: 薄膜トランジスタ / ゲルマニウム / シリコン / レーザーアニール / 結晶化

研究概要

非晶質基板上への単結晶 Ge 低温形成を目指して, 積層構造 Ge//Siのグリーンレーザーアニール(GLA)に取り組んだ. この構造を用いることによって, Ge のみならず Si も結晶化が可能であることが分かった. また, CO2レーザーを用いて, 積層構造 Si//Siを複数層同時に結晶化させることについても検討を行った. GLA による結晶化と比較すると, 形成された多結晶の粒径は約 2 倍(~2 μm)と大きく, また, 2 層同時大粒径結晶化に成功した.

研究成果

• [雑誌論文] Thin Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing (2012)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 3S ページ: 03CA03-03CA03
  • DOI: 10.1143/jjap.51.03ca03
  • 査読あり
• [学会発表] 三次元構造デバイス応用に向けた CO2レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成 (2013)
  • 著者名/発表者名: 山崎浩司
  • 学会等名: 第60回春季応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2013-03-28
• [学会発表] CO2レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の形成 (2012)
  • 著者名/発表者名: 山崎浩司
  • 学会等名: 薄膜材料デバイス研究会第9回研究集会
  • 発表場所: なら 100 年会館
  • 年月日: 2012-11-03
• [学会発表] Super Low Temperature Fabrication of Thin Film Transistors with Polycrystalline Si and Oxide Semiconductor Materials (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Horita
  • 学会等名: The 12th International Meeting on Information Display (Invited)
  • 発表場所: Daegu, Korea.
  • 年月日: 2012-08-29
• [学会発表] 三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによる積層構造多結晶シリコン薄膜の同時結晶化技術 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山崎浩司
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Thin Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Yamasaki
  • 学会等名: 8th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 2011-07-12
• [学会発表] グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 堀田昌宏
  • 学会等名: 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
  • 発表場所: 名古屋大学
  • 年月日: 2011-07-04
• [学会発表] Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: K. Yamasaki
  • 学会等名: 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  • 発表場所: Osaka
  • 年月日: 2011-05-20
• [学会発表] Thin Film Transistors and Photo Diodes Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamasaki, Emi Machida, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
  • 学会等名: 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] Thin Film Devices Fabricated on Double-Layered Polycrystalline Silicon Films Formed by Green Laser Annealing (2011)
  • 著者名/発表者名: Koji Yamasaki, Emi Machida, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
  • 学会等名: 18th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
  • 発表場所: アバンティ響都ホール(京都市)
• [学会発表] 三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによる積層構造多結晶シリコン薄膜の同時結晶化技術 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山崎浩司, 町田絵美, 堀田昌宏, 石河泰明, 浦岡行治
  • 学会等名: 第72回秋季応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
• [学会発表] CO2レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の形成
  • 著者名/発表者名: 山﨑浩司, 町田絵美, 堀田昌宏, 石河泰明, 浦岡行治, 池上浩
  • 学会等名: 薄膜材料デバイス研究会第9回研究集会
  • 発表場所: なら100年会館，奈良
• [学会発表] 三次元構造デバイス応用に向けたCO2レーザーアニールによる積層多結晶シリコン薄膜の形成
  • 著者名/発表者名: 山﨑浩司, 町田絵美, 堀田昌宏, 石河泰明, 浦岡行治, 池上浩
  • 学会等名: 第60回春季応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学，神奈川