| 研究課題/領域番号 |
23760293
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
西永 慈郎 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (90454058)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 有機・無機半導体ヘテロ界面 / フラーレン / GaAs / MBE / 有機・無機ヘテロ界面 / 量子ドット / 電子トラップ / 有機半導体 / 化合物半導体 / 結晶成長 / 太陽電池 |
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| 研究概要 |
フラーレンC_<60>はサッカーボール型の対称性の優れた分子であり、他の材料と組み合わせることで、サイズが均一な量子ドットを作製できる可能性がある。本研究はC_<60>と発光素子や高速トランジスタとして利用されるGaAsを組み合わせた、新しい電子デバイスの開発を目標に研究を行った。C_<60>とGaAsは結晶構造が大きく異なるため、ヘテロ構造の結晶成長は難しいものと考えられていたが、低温結晶成長法によって理想的なヘテロ界面の作製に成功した。GaAs 結晶中のC_<60>は本来の電子構造をそのまま残し、GaAs結晶から電子をもらって、その電子を電界や光によって放出することが明らかになった。この現象は今後、高速トランジスタにメモリの機能を加えることや、高感度の光検出器への応用が期待できる。
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