| 研究課題/領域番号 |
23760295
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 宇部工業高等専門学校 (2011, 2013-2014)
北九州工業高等専門学校 (2012) |
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研究代表者 |
仙波 伸也 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (40342555)
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| 研究期間 (年度) |
2011-04-28 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 分子線エピタキシー / スピントロニクス / 電子・電気材料 / MBE |
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| 研究成果の概要 |
強磁性絶縁体EuSを障壁層とした磁気トンネル接合においてはスピンフィルター効果によって磁気抵抗効果が発現すると期待できる。本研究では、強磁性EuS、Ge1-xMnxTe層に反強磁性MnTe層を付与した接合構造を提案し、分子線エピタキシー法を用いた作製条件を明らかにした。また、EuSにTeを添加することによって磁化特性を調整することができた。さらに提案した構造の強磁性／反強磁性層間には明瞭な交換バイアスが生じないことが分かった。
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