| 研究課題/領域番号 |
23760296
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
舘林 潤 東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任助教 (40558805)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2011年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | ナノワイヤ / 量子ドット / 有機金属気層成長法 / 単一光子発生器 / 太陽電池 / レーザ / 高均一 / 多積層 / 単一光子発生 / ヒ化インジウム / InAs/GaAs / 光子アンチバンチング / 量子もつれ光源 |
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| 研究概要 |
本研究は半導体ナノワイヤを用いた光デバイス（単一光子発生器・レーザ・太陽電池）実現に向けた結晶成長技術の確立を目的とし研究を遂行した。具体的には、量子ドットを有するナノワイヤ構造の成長技術を確立しその光学・構造評価を行うと主に、光電子デバイス（レーザ・単一光子発生器・太陽電池）を作製するプロセス技術を確立しそのデバイス特性を評価した。高品質の単一ナノワイヤ量子ドットから単一光子発生過程を確認すると共に、ナノワイヤ中に高均一の積層量子ドット構造を作製する技術を提案・実証し最大２００層まで積層可能であることを示した。またナノワイヤ量子ドットを有する太陽電池やレーザ構造を作製しその動作実証を行った。
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