| 研究課題/領域番号 |
23760303
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田辺 克明 東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任准教授 (60548650)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 太陽電池 / 化合物半導体 / シリコン / ウェハ貼り合わせ / 低コスト / 高効率 / ウェハ接合 / ウェハ融着 / GaAs |
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| 研究概要 |
世界初となるオーミックな電気特性を持つGaAs/Si貼り合わせ接合を得ることに成功した。この高光透過性かつ高導電性のヘテロ接合は、今後様々な新規高性能化合物半導体/Siハイブリッド光電子デバイスへの利用が期待される。得られたヘテロ接合を用い、世界初の貼り合わせによる化合物半導体/Siハイブリッド多接合太陽電池となる、AlGaAs/Si二端子二接合太陽電池の作製に成功した。作製した二接合太陽電池は、1 sun (100 mW/cm2) 下において25%という、初期データとして高い発電効率を示し、超高効率格子不整合多接合太陽電池の実現への我々の手法の妥当性が見られる。
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