| 研究課題/領域番号 |
23760319
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
井村 将隆 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 研究員 (80465971)
|
|---|
| 連携研究者 |
小出 康夫 独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット・ワイドギャップ機能材料グループ, グループリーダー (70195650)
天野 浩 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
|
|---|
| キーワード | ダイヤモンド / 窒化アルミニウム / 電界効果トランジスタ / ヘテロ接合 / 電子デバイス・電子機器 / 高周波パワーデバイス / III族窒化物半導体 / ヘテロエピタキシャル成長 |
|---|
| 研究概要 |
窒化アルミニウム(AlN)/ダイヤモンドヘテロ構造を用いたpチャネル電界効果トランジスタ(FET)の特性改善及びその動作原理の解明を行った。AlNは有機金属化合物気相成長法を用いダイヤモンド基板上に成長させた。ソース-ドレイン電極直下のAlNを電極堆積前に塩素ガスを用いて完全にエッチングし、その後、オーミック電極にパラジウムを用いることでFET特性を大幅に改善させた。酸素終端構造を有すダイヤモンド基板上に、水素とアンモニアの混合ガス雰囲気下にて熱処理(1250oC)を施し、その後AlNを成長させることで、密着性の良いAlNを再現性良く得ることができ、同時にこの熱処理が表面正孔キャリアを形成していることが明らかとなった。またデバイスはノーマリオンモードでFET動作していることから、AlNが正孔キャリアの保護膜+絶縁膜として機能していると考えられる。
|
