| 研究課題/領域番号 |
23760622
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
着本 享 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 講師 (50346087)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 電極界面 / 原子構造 / 電気特性 / 界面 / 半導体 / 電流輸送 |
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| 研究概要 |
半導体素子の高性能化に向けてプロセス技術で形成される格子欠陥やヘテロ界面構造を把握することは、電子輸送など特性や構造を制御する上で不可欠である。本研究は電子顕微鏡技術を用いてシリコンカーバイド素子化に伴うイオン注入技術で導入される格子欠陥やコンタクト電極における原子構造を計測した。特に電極界面の原子構造と輸送特性との相関を明らかにし、原子分解構造計測技術と定量的な理論計算との併用が素子の研究開発に有用であることを示した。
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