| 研究課題/領域番号 |
23760636
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
坂元 尚紀 静岡大学, 工学研究科, 助教 (80451996)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2011年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 力学 / 電子 / 電磁 / 光 / 熱物性 / III族窒化物 / 結晶成長 / 化学気相成長法 / 混晶半導体 / 三族窒化物 / 単結晶成長 / CVD法 |
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| 研究概要 |
シングルパス供給法ならびにダブルパス供給法により AlInN エピタキシャル成長を試みた。シングルパス法ではエピタキシャル成長が困難となってしまうものの、柱状 InN の成長ならびに Al の固溶が示唆された。ダブルパス供給法では成膜条件の大幅な変化などのために基板上に薄膜が生成されなかったが、原料混合比の制御と反応温度の制御により InN を 0～15%の範囲で固溶させた AlInN 薄膜の作製に成功した。
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