研究課題/領域番号 |
23760646
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
無機材料・物性
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研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
研究代表者 |
田口 富嗣 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 (50354832)
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研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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キーワード | 炭化ケイ素ナノチューブ / イオン照射 / 微細組織観察 / 透過型電子顕微鏡 / 電子エネルギー損失分光法 / SiCナノチューブ / ヘテロ構造 |
研究概要 |
多結晶SiCナノチューブをイオン照射することにより、単結晶、微結晶及びアモルファスSiCナノチューブの合成に成功した。イオン種を変化させて系統的に照射することにより、照射イオンの原子量が増加するとともに、多結晶SiCナノチューブを完全にアモルファス化するために必要な照射量は、減少することを明らかにした。また、多結晶SiCナノチューブの前面に、マスクを設置してイオン照射を行うことで、一本のナノチューブ内に、多結晶と微結晶、及び、多結晶とアモルファス相が、それぞれ混在している二種類のヘテロ構造SiCナノチューブの合成にも成功した。
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