| 研究課題/領域番号 |
23860050
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
前田 穂 日本大学, 理工学部, 助手 (80610584)
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| 研究協力者 |
JUNG Ho kim ISEM University, of Wollongong, ARC研究員
HEO Yoon-uk Pohang University of Science Technology, 助教授
中山 佳威 日本大学, 理工学部, 大学院生
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| 研究期間 (年度) |
2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2011年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
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| キーワード | 超伝導材料・素子 / 二硼化マグネシウム / 超伝導線 / 臨界電流密度 / 格子欠陥炭素、MRI / 炭素 / MRI / ピレンガス / 格子欠陥 |
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| 研究概要 |
本研究では、次世代MRI装置の超伝導マグネットの材料候補である二硼化マグネシウム(MgB_2)線材の超伝導特性を改善する方法の探究と確立を試みた。その結果、芳香族炭化水素のピレン粉末添加により、MgB_2の結晶格子が歪み、超伝導応用の重要な指標となる不可逆磁場の向上が明確になった。さらに、この添加剤の気化による炭素の拡散とMgの展性を利用することにより、磁場下の臨界電流密度の著しい増大が明らかになった。
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