| 研究課題/領域番号 |
23860051
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 明治大学 |
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研究代表者 |
小瀬村 大亮 明治大学, 理工学部, 助教 (00608284)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | tip-enhanced Raman / AFM Raman / Si, SiGe / strain / stress / polarized-Raman / ラマン分光法 / 原子間力顕微鏡 / 近接場 / 歪Si / SiGe / 偏光ラマン / 結晶工学 / 半導体物性 / 光物性 / シリコン / 応力 / ラマン散乱 |
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| 研究概要 |
ラマン分光法と原子間力顕微鏡(AFM:atomicforcemicroscopy)を組み合わせることにより、tip-enhancedRamanspectroscopy(TERS)を実現した。TERS測定においてしばしば擾乱要因となる遠方場の信号(バックグラウンド)を抑制するために、TERS信号、およびバックグラウンドの偏光依存性を検討して、最適なTERS測定配置を選定した。その結果、入射方向[110],入射、散乱偏光がそれぞれp,およびs偏光の配置において高いTERS信号/バックグラウンド比を得た。さらに、"チップ増強テンソル"を用いたチップ電場増強モデルにより計算したTERS信号の偏光依存性と比較した結果、Siのラマン散乱強度の増幅率として1.6〓105が得られた。この値は、これまでに報告されてきた増幅率104に比べて一桁程度大きい。大きな増幅率が得られた要因は、shear-forcemodeを用いてAFMを行ったことにより、探針と試料表面の距離が極めて近接したことに因ると考えられる。
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