ラジカル励起室温原子層堆積による超格子成長機構研究

• 研究課題/領域番号: 23H00098
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分14:プラズマ学およびその関連分野
• 研究機関: 山形大学
• 研究代表者: 廣瀬 文彦 山形大学, 大学院理工学研究科, 教授 (50372339)
• 研究分担者: 有馬 ボシールアハンマド 山形大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (30596549)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 46,280千円 (直接経費: 35,600千円、間接経費: 10,680千円); 2024年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円); 2023年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
• キーワード: 原子層堆積法 / 酸化物 / 超格子 / 結晶 / 光触媒

研究開始時の研究の概要

半導体製造で活用される原子層堆積法において、申請者はプラズマ励起加湿アルゴンによるOHラジカル励起法を発案し、堆積温度の室温化に世界に先駆けて成功してきた。本研究では、同法を深化させ、アトムレベルで濃度と膜厚が制御された複合酸化膜の超格子製造技術の獲得を狙う。そのためにOHラジカル処理された金属酸化膜表面で、精密に被覆率制御された複合分子吸着表面をつくる技術の獲得と、ラジカル照射下での再配列の促進、結晶化のための表面励起技術の開発を行う。また応用として、アナタースTiO2/TiON超格子による可視光触媒に挑戦する。プラズマ励起によって、アトムプログラミングデポジッションの実現に挑戦する。