研究課題/領域番号 |
23H00163
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分19:流体工学、熱工学およびその関連分野
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)
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研究分担者 |
千足 昇平 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (50434022)
大塚 慶吾 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (20823636)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
47,710千円 (直接経費: 36,700千円、間接経費: 11,010千円)
2023年度: 21,710千円 (直接経費: 16,700千円、間接経費: 5,010千円)
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キーワード | カーボンナノチューブ / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 一次元ファンデルワールスヘテロ構造 / 分光計測 / 光電変換デバイス |
研究開始時の研究の概要 |
単層カーボンナノチューブ(CNT)のテンプレート上に異種ナノチューブを同心積層した一次元ヘテロ構造について,原子層種の拡張や原子スケールでの成長メカニズム解明,さらにマクロな光学物性や輸送特性を実現してきた.とりわけ,特定の一次元ファンデルワールス(vdW)ヘテロナノ構造に見られる光吸収の増大は,一次元の同心構造という特異な構造と相まって革新的な光電変換デバイス応用に期待がされる.本研究では,高度に制御された試料を用いて光学物性のより深い解明と制御を狙う.さらにデバイス応用を見据え,半導体CNTやカイラリティが制御されたCNTを内層とした一次元vdWヘテロナノ構造において光学物性制御を目指す.
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