研究課題
基盤研究(A)
本研究では、研究代表者が独自に提案・研究を進めてきたIII-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上において、量子井戸混合を用いた能動・受動光素子集積技術の基盤構築を目指す。III-V族半導体薄膜内における量子井戸混合の物理機構の解明・制御技術確立および量子井戸混合や窒化シリコン膜を用いた光閉じ込め構造の探求を進める。これにより、3つ以上のバンドギャップを持つ量子井戸層を同一基板上に形成し、レーザー/受光器・光変調器・各種受動光導波路を集積可能とすることで、高効率・高速な次世代光通信用光集積回路プラットフォームを構築する。