研究課題/領域番号 |
23H00253
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
トン ヴィンセント 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50971628)
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研究分担者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20373441)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2024年度: 19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2023年度: 19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
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キーワード | Symmetry / single-crystallinity / Wafer-scale / 2D Materials |
研究開始時の研究の概要 |
The overarching goal of this proposal is to unveil the scalable epitaxial growth that produces high-quality 2D TMDs, i.e., single crystallinity and low defectivity, and that are compatible with existing manufacturing of Si-based complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies.
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