研究課題/領域番号 |
23H00269
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
若山 裕 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (00354332)
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研究分担者 |
山田 洋一 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (20435598)
福本 恵紀 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 特任准教授 (20443559)
石黒 康志 東京電機大学, 工学部, 助教 (20833114)
相見 順子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 高分子・バイオ材料研究センター, 主任研究員 (80579821)
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
47,320千円 (直接経費: 36,400千円、間接経費: 10,920千円)
2024年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2023年度: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
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キーワード | 有機トランジスタ / ヘテロ界面 / 演算素子 |
研究開始時の研究の概要 |
有機エレクトロニクスの分野では素子の高集積化への取り組みが活発化しているものの、既存の微細加工技術が適用できないという課題が残る。そこで従来とは異なる新しい演算機構が不可欠である。そこで素子の動作原理を根本から見直し、革新的な演算機構を確立して集積化の壁を乗り越えることが本研究の目的である。そのため独自開発したヘテロ界面トランジスタを中心にした素子を設計し、ひとつの素子で演算とメモリの2つの機能を動作させ、かつ両方の機能を同時に多値化した素子動作を実証する。まず伝導メカニズムを解明して素子の設計指針を一般化させ、次に特異的な電流特性を利用して演算機構へと発展させる。
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