研究課題/領域番号 |
23H00275
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
森 勇介 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90252618)
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研究分担者 |
今西 正幸 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00795487)
宇佐美 茂佳 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (30897947)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
47,450千円 (直接経費: 36,500千円、間接経費: 10,950千円)
2024年度: 16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2023年度: 19,890千円 (直接経費: 15,300千円、間接経費: 4,590千円)
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キーワード | GaNバルク成長 / 高速成長 / OVPE法 / 口径制御 / 口径維持・拡大 |
研究開始時の研究の概要 |
次世代パワー半導体材料として注目されるGaNはSiやSiCのように安価な自立ウェハが存在しないため普及に至っていない。これは、低価格な自立ウェハを作製するためには大面積かつ同口径の自立ウェハを複数枚取得可能な柱状結晶(インゴット)の作製が必要であるのに対し、従来育成法ではGaN結晶が六角錘状に成長して当該インゴットの作製を妨げることに起因する。申請研究では、酸化ガリウムを原料とする気相成長法(OVPE法)における3次元成長モードとウェハ端面の無極性面成長を利用することで世界初となる高品質・超厚膜GaNインゴットを実証する。
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