ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

• 研究課題/領域番号: 23H00276
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
• 研究分担者: 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; 田中 崇之 名城大学, 理工学部, 准教授 (10367120) ; 今井 大地 名城大学, 理工学部, 准教授 (20739057) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735) ; 亀井 利浩 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (90356824)
• 研究期間 (年度): 2023-04-01 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 採択後辞退 (2023年度)
• 配分額: 47,450千円 (直接経費: 36,500千円、間接経費: 10,950千円); 2023年度: 19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)