研究課題/領域番号 |
23H01311
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分18020:加工学および生産工学関連
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研究機関 | 茨城大学 |
研究代表者 |
清水 淳 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 教授 (40292479)
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研究分担者 |
金子 和暉 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 助教 (60909216)
小貫 哲平 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 准教授 (70400447)
周 立波 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 教授 (90235705)
尾嶌 裕隆 茨城大学, 理工学研究科(工学野), 准教授 (90375361)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2023年度: 12,480千円 (直接経費: 9,600千円、間接経費: 2,880千円)
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キーワード | 次世代半導体基板 / ナノスクラッチ / 分子動力学 / 加工変質層 / 結晶異方性 |
研究開始時の研究の概要 |
単結晶ダイヤモンドプローブ工具による次世代半導体(SiC,GaN,Ga2O3)ウエハのシングルおよびマルチナノスクラッチ実験を試み,主にスクラッチ方向と結晶方位との相対関係が加工効率やダメージ層の生成に及ぼす影響を明らかにする.その評価には,表面性状測定の他に,Raman分光分析や分子動力学シミュレーションなども活用する.各評価から得られた知見を基に,加工効率やダメージ層の低減に有効な加工条件を推定し,次世代半導体加工の進展に寄与できるようにする.
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