研究課題/領域番号 |
23H01399
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21010:電力工学関連
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
引原 隆士 京都大学, 工学研究科, 教授 (70198985)
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研究分担者 |
持山 志宇 京都大学, 工学研究科, 助教 (20867866)
福永 崇平 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (20914138)
新谷 道広 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 准教授 (80748913)
高山 創 京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1) (30981063)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2023年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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キーワード | SiCパワーMOSFET / デジタルアクティブゲートドライバ / デジタルツイン / 学習最適化 / オートチューニング |
研究開始時の研究の概要 |
本申請は,商用化が進むGaN,SiC等のワイドバンドギャップ半導体を用いたMOSFETなどの電力変換回路応用に関して,素子の物理的優位性を生かしたゲート駆動方式の完全デジタル化を目指すものである.ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスは製造過程における特性のバラツキが大きく,均一なデバイス特性を前提とした固定回路によるゲート駆動は個別調整が難しい.電力変換の基本回路であるブリッジ回路において故障や損失の増加を避けるため,動作パラメータの最適化と共にチューニングが可能な駆動方式が求められる.これを踏まえオートチューニング可能なデジタルアクティブゲートドライブ技術を開発し,開発環境を確立する.
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