研究課題/領域番号 |
23H01429
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21030:計測工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
蔭浦 泰資 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (20801202)
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研究分担者 |
小野田 忍 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター, 上席研究員 (30414569)
川原田 洋 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90161380)
大曲 新矢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40712211)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2023年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
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キーワード | 量子センシング / ダイヤモンド / NV中心 / 化学気相堆積法 / ドーピング |
研究開始時の研究の概要 |
ダイヤモンド中の負に帯電した窒素-空孔(NV)中心は、室温・幅広い環境下で動作する高感度量子センサとして期待できる。しかし、実現の鍵となるセンサの高感度化は途上であり、物性上は高感度化が期待されている一方、実測では超伝導など他の量子系に劣る。そこで本研究では、量子もつれ状態が発現するほどの超高密度NV電子スピン結晶を実現し、量子もつれ状態を活用した超高感度センシングに挑む。その実現に向けて、化学気相堆積法および電子線照射法を基にした新たな超高密度NV形成手法を構築する。
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