研究課題/領域番号 |
23H01450
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 九州工業大学 |
研究代表者 |
寺井 慶和 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 教授 (90360049)
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研究分担者 |
新海 聡子 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 准教授 (90374785)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2023年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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キーワード | シリサイド半導体 / シリコン光エレクトロニクス / バンド構造制御 |
研究開始時の研究の概要 |
シリコン(Si)にはない優れた光学機能を示す鉄シリサイド半導体(β-FeSi2)は、既存のSiデバイスとの融合により、Society 5.0社会の基盤となる情報通信、セキュリティー、自動運転モビリティ等への応用が期待される物質である。本研究では、Fe、Siの選択的同族元素置換によりβ-FeSi2のバンド構造と状態密度をダイナミックに変化させ、電子構造の精密制御と光学機能の向上を図ることを目的とする。本研究により、シリサイド半導体の課題が解決され、現存のシリコンテクノロジーへの新たな光機能追加や、Si系光機能デバイスの新展開が拓ける。
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