研究課題/領域番号 |
23H01457
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
岡田 直也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10717234)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2023年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
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キーワード | シリコン / 二次元物質 / TMDC / ヘテロ接合 / トランジスタ |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、多様なバンド構造を有するカルコゲナイド系二次元層状物質と三次元バルク半導体「Si」の接合形成技術を開発する。これにより、既存のシリコン材料プロセス技術では成し得ないような原子レベルでの急峻性と欠陥レスな理想的界面を追究する。さらに、二次元物質の構造や組成の変化による接合界面の電子状態を明確にすることで、二次元物質/Siのヘテロ接合界面のフェルミレベル制御とバンドアライメント制御を実現する。これらにより、二次元物質と融合したシリコンデバイス・プロセス・材料の学術体系を創出する。
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