研究課題/領域番号 |
23H01458
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
浦野 千春 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (30356589)
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研究分担者 |
永崎 洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018)
三澤 哲郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (40635819)
森田 行則 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (60358190)
石田 茂之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90738064)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2023年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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キーワード | ジョセフソン接合 / 高温超伝導 / ヘリウムイオンビーム顕微鏡 / 物性制御 / 電圧標準 |
研究開始時の研究の概要 |
超伝導体を用いた量子効果デバイスであるジョセフソン接合は、巨視的量子現象が現れる、物理や工学における最も重要な研究対象の一つである。ジョセフソン接合は超高感度な磁気センサーである超伝導量子干渉素子(SQUID)から超伝導量子ビットまで、様々なものがある。ジョセフソン接合には様々な作製手法があるが、本研究ではヘリウムイオン顕微(HIM)技術を用いた描画加工によるジョセフソン接合の作製に注目している。本研究では、デバイスの性能や再現性の向上のため、HIM描画加工による物性制御メカニズムの検討、新原理の発見・提案および原子レベルでの材料評価手法の可能性検討に取り組む。
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