研究課題/領域番号 |
23H01460
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
日暮 栄治 東北大学, 工学研究科, 教授 (60372405)
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研究分担者 |
竹内 魁 東北大学, 工学研究科, 助教 (20896716)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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キーワード | 常温接合 / 接合界面制御 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、表面・接合界面をナノメートルレベルで制御するための新しい視点として、①平滑な表面に形成した活性な薄膜の剥離・転写を利用した粗い接合面の平滑化、②金属薄膜を保護し、表面粗さを抑制するナノキャップ層の形成、③CMOSプロセスと整合性の高い遷移金属とSi半導体の組み合わせにおける低温固相反応に基づくナノ反応層の形成に着目し、ナノメートルスケール界面(ナノ界面)における微細構造、電気的・機械的特性の解明とこれらを積極的に活用した新規常温接合技術の創出に挑む。
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