研究課題/領域番号 |
23H01464
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 名古屋工業大学 |
研究代表者 |
久保 俊晴 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (10422338)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2023年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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キーワード | GaN on Si / 縦型デバイス / 緩衝層 / MOS構造 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、歪超格子層を用いたSi基板上縦型GaNパワーデバイスを実現するため、まず、①歪超格子構造における縦方向電気伝導特性の改善によるオン抵抗低減、を行う。これには【トンネル接合による改善】および【δドーピングによる改善】を用いる。次に②n-GaNドリフト層の高品質化によるオン抵抗低減および高耐圧化、を行う。これは【貫通転位密度の低減】および【キャリア濃度の制御性の改善】により達成する。最後に、低抵抗および高耐圧であるGaN/Si縦型パワーデバイスを作製する。
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