研究課題/領域番号 |
23H01469
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
齋藤 渉 (羽田野渉) 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (10741770)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
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キーワード | パワーデバイス / GaNトランジスタ / 高電圧 |
研究開始時の研究の概要 |
CO2削減に高効率な電力利用を実現する低損失な次世代パワーデバイスとして窒化ガリウム(GaN)トランジスタの実用化が進んでいるが、高電圧ストレスに対する脆弱さを補う安全設計により、製品のオン抵抗は理論上期待できる値の約10倍にも大きくなってしまっている。本研究の目的は、GaNトランジスタの高電圧ストレスに起因した破壊現象のメカニズムを解明することである。GaNトランジスタに高電圧パルスを繰り返し印加する試験を行い、ストレス印加前後の電気的特性変化を計測すると共に破壊箇所と特性劣化の過程の因果関係を調査することで、過剰な安全設計が不要となる素子構造や結晶成長プロセスの方向性が明らかになる。
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