研究課題/領域番号 |
23H01473
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
|
研究機関 | 早稲田大学 |
研究代表者 |
川原田 洋 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90161380)
|
研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
|
配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
|
キーワード | ダイヤモンドpチャネル / 高電圧インバータ / 高周波スイッチング / ワイドバンドギャップ半導体 / 高電圧回路 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では,MHz台の高周波スイッチングが可能なワイドバンドギャップ半導体を利用した相補型FET(C-FET)による相補型高電圧高速インバータおよびコンバータを開発する.高電圧のC-FETは未だ開発されておらず,本研究では,n-FETにSiCあるいはGaNを,p-FETにダイヤモンドを利用する.ダイヤモンドp-FETは,SiCやGaNのp-FETより100倍は優れ,SiCやGaNのn-FETの性能に近づいており,SiCやGaNのn-FETと組み合わせ,MHz動作の高電圧C-FETを実現する.これによりトランスやフィルタ等のインダクタが超小型化し,システム小型軽量化に貢献する.
|