研究課題/領域番号 |
23H01695
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26030:複合材料および界面関連
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研究機関 | 横浜国立大学 |
研究代表者 |
井上 史大 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (00908303)
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研究分担者 |
藤野 真久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (70532274)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
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キーワード | ハイブリッド接合 / チップレット / 原子層堆積 |
研究開始時の研究の概要 |
立体的にデバイスを積層し、さらなる高性能化、高集積化が達成可能な3Dヘテロデバイス技術が大きな注目を浴びている。そのデバイス構造において重要な課題はデバイス間の相互通信接合技術である。微細化は接合技術でも非常に進行しており、原子レベルの膜厚コントロールが可能な接合表面形成手法が求められている。本研究のねらいはウエットプロセスであり、かつ電解による制御の不要な化学反応のみの原子層堆積法である、無電解原子層堆積法(EL-ALD)をCu-Cu接合に応用することにある。堆積、接合プロセス両者での局所的なダイナミクスを解明し、新たな原子レベル金属堆積法に加え、それを応用した新規な低温接合法確立を目指す。
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