研究課題/領域番号 |
23H01725
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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研究機関 | 長岡技術科学大学 |
研究代表者 |
會田 英雄 長岡技術科学大学, 工学研究科, 准教授 (10811648)
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研究分担者 |
澤邊 厚仁 青山学院大学, 理工学部, 教授 (70187300)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2023年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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キーワード | ダイヤモンド / ヘテロエピタキシャル成長 / CVD法 / 欠陥密度 |
研究開始時の研究の概要 |
温室効果ガス削減に極めて大きな貢献が期待されるダイヤモンドを用いた究極の省エネルギーパワー半導体デバイスの実現には、高品質かつ大型のダイヤモンド基板の実現が必要である。ダイヤモンド成長用下地MgO基板の完璧表面創成と極薄化加工を行いつつ、成長中リアルタイム応力制御を取り入れ、結晶欠陥発生とその伝搬を抑制/制御してダイヤモンドの高品質化を目指す。最終段階では、これまでに開発済みの大口径結晶成長技術と組み合わせ、実用性(サイズと品質)を兼ね備えるダイヤモンド基板製造技術の完成を目指す。
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