研究課題/領域番号 |
23H01739
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分26060:金属生産および資源生産関連
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
野瀬 嘉太郎 京都大学, 工学研究科, 准教授 (00375106)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2023年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
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キーワード | 化合物半導体 / 気相成長 / 化学ポテンシャル / 反応場 / 低融点金属 |
研究開始時の研究の概要 |
近年,マテリアルズインフォマティクスなどの発展により多様な材料が提案されるのに伴い,それら材料を作製するための高度なプロセス技術が求められている。特に,多元素からなる材料については,組成や物性の制御のために精密な作製技術の開発は欠かせない。デバイスを構成する半導体材料は気相成長により作製されることが多く,供給側では化学種とその分圧がプロセスパラメータとなる。これに対し,本研究では低融点金属中で目的の化合物を合成し,これを蒸留単離してバルク結晶・薄膜などを作製する手法を検討する。これにより,これまで実現されなかった物性の実現や作製が困難であった材料の開発に繋がることが期待される。
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