研究課題/領域番号 |
23H01797
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
吉井 丈晴 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (70882489)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2023年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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キーワード | ヘテロ元素ドーピング / 3次元グラフェン / ホウ素ドーピング / ジッピング反応 |
研究開始時の研究の概要 |
3次元グラフェン材料は高比表面積と高耐食性を兼ね備え,キャパシタなどのデバイス応用が期待されている.この際,グラフェン中の炭素を窒素(N)やホウ素(B)で置き換えるヘテロ元素ドーピングは電子物性制御に有効である.しかし,Nドーピングは容易である一方, Bドーピングは導入濃度と形態制御の両立が困難であった.本研究では,グラフェンが繋がり成長する”ジッピング”の過程において,ヘテロ元素をin-situで取り込む新手法を提案する.従来法を大きく凌駕する高濃度のBドーピングにより,新規電子デバイス開発を狙う.さらに,13族元素(Al, Ga)などへと展開し,新しい元素ドーピング手法としての確立を図る.
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