研究課題/領域番号 |
23H01813
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
齊藤 雄太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (50738052)
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研究分担者 |
Fons Paul 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90357880)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2023年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円)
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キーワード | 層状テルライド / アモルファス / 結晶化 / 電子デバイス / ファンデルワールス |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、次世代の半導体デバイスを見据えながら、原子がランダムに配列したアモルファス薄膜を加熱するという手法を用いることで、準安定な層状物質を作製する。具体的にはGeTe2という安定的には存在し得ない物質を薄膜形状で作製し、種々の機能を発現する半導体材料としての可能性を探索する。準安定な物質は作り方によって形成の可否が変わるため、再現性良く高品質な薄膜を作製する手法を構築する必要がある。また、それ自体がより安定な物質へと改変してしまうことがあるため、耐熱性の向上も不可欠である。今までに人類が見たことがない未知の層状物質を創製し、次世代半導体デバイス用の材料としての可能性を調査する。
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