研究課題/領域番号 |
23H01832
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29010:応用物性関連
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
塩見 雄毅 東京大学, 大学院総合文化研究科, 准教授 (10633969)
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研究分担者 |
上野 和紀 東京大学, 大学院総合文化研究科, 准教授 (10396509)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 8,710千円 (直接経費: 6,700千円、間接経費: 2,010千円)
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キーワード | スピン流 / 水素吸蔵 / 超交換相互作用 / 磁性絶縁体 |
研究開始時の研究の概要 |
近年注目を集める水素技術と、申請者が専門とするスピン流物理を融合させることを狙う。特に、材料開発を行うことで純スピン流応答を水素暴露によりOn/Off切り替えすることで、新しい水素センサ技術を開拓する。さらに、これまで例がほとんどない低温磁場下における水素ガス暴露研究を推進し、エキゾチック磁性体において水素ガスを利用した新奇スピン流現象の観測を目指す。以上によりスピントロニクスの新たな一分野を切り拓く。
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