研究課題/領域番号 |
23H01846
|
研究種目 |
基盤研究(B)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
|
研究機関 | お茶の水女子大学 |
研究代表者 |
近松 彰 お茶の水女子大学, 基幹研究院, 准教授 (40528048)
|
研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2027-03-31
|
研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
|
配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2023年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
|
キーワード | 酸フッ化物 / マルチフェロイック特性 / 薄膜新材料 |
研究開始時の研究の概要 |
同一の相で強誘電性と強磁性を併せ持つマルチフェロイック物質は、一方のフェロイック特性を他方の共役場で操作できるため、磁気メモリなど電気磁気効果に基づくデバイスへの応用が期待されている。本研究では酸フッ化物が室温でマルチフェロイック特性を示すかどうかに着目し、鉄・マンガン酸フッ化物薄膜のマルチフェロイック特性の実証、酸フッ化物薄膜の局所構造の観測と理解、理論計算による酸フッ化物構造の最適化を行う。本研究により、最適なカチオンの割合やフッ素量、エピタキシャル応力を見つけ出し、室温で安定なマルチフェロイック特性の酸フッ化物の発見と酸フッ化物マルチフェロイクスの学理構築を目指す。
|