研究課題/領域番号 |
23H01849
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
宮町 俊生 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (10437361)
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研究分担者 |
小澤 孝拓 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (20910144)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2023年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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キーワード | 界面磁気結合 / 水素吸蔵特性 / 走査トンネル顕微鏡 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では強磁性薄膜(FM)にPd薄膜を積層してPd/FM薄膜ヘテロ構造を作製し、磁気近接効果を利用してPdに磁化を誘起させ、Pd薄膜のd軌道の電子密度分布に現れる変調を原子スケールかつスピン・軌道分解して調べ、水素吸蔵特性を向上させる基本原理をミクロに解明することを目的とする。本研究の目的である「磁性による新規水素吸蔵機能の創出」を達成するため、STMによるミクロ構造・物性評価を軸に、水素吸蔵特性評価、理論による研究チームを構成し、密に連携して将来的なデバイス応用に繋げるための基盤研究を行う。
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