研究課題/領域番号 |
23H01858
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
研究代表者 |
穴田 智史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (40772380)
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研究分担者 |
野村 優貴 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (60970126)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
14,950千円 (直接経費: 11,500千円、間接経費: 3,450千円)
2023年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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キーワード | 電子線ホログラフィー / オペランド解析 / 機械学習 |
研究開始時の研究の概要 |
オペランド電子線ホログラフィーは,動作時デバイス内の電荷挙動を高空間分解能で観察できる強力な手法である.しかし,時間分解能が低いことが問題となっている.そこで,本研究では,①高速オペランド電子線ホログラフィー技術の開発と②電池・半導体デバイスの電荷挙動解析への応用を目的とする.時間分解能を向上するため,静電偏向サブフレーミングと機械学習に基づく画像処理を融合した解析システムを構築する.
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