研究課題/領域番号 |
23H01866
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 名古屋大学 |
研究代表者 |
本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2023年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
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キーワード | GaN / 4元混晶 / HBT / バンドオフセット制御 / 分極ドーピング |
研究開始時の研究の概要 |
デバイス構造のシミュレーションとAlGaN分極ドーピングHBTの特性評価をもとに、AlGaInN分極ドーピングを用いたHBTの作製を行う。エミッタ層へのIn偏析現象が問題となる可能性があり、理想界面を得るための結晶成長条件の最適化を行い、ベース層とエミッタ層の急峻な界面の作製に関して評価を行う。各種In、Al組成を変えたベース層を作製しデバイス化することで、AlInGaN層の薄膜化を図る。デイバスの静特性、高周波特性などの電気特性を計測しHBTの高性能化を図る。
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