研究課題/領域番号 |
23H01867
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2023年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
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キーワード | 超ワイドギャップ半導体 / 両極性電気伝導 / 励起子 / 深紫外分光 / 磁場下分光 |
研究開始時の研究の概要 |
超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けて,磁場下深紫外分光法を用いた物性評価と,短パルスレーザ非平衡熱処理技術の開発による良電気伝導性準安定電子状態の探索,そして赤外光活用による両極性電気伝導制御に挑戦する.具体的には,超ワイドギャップ半導体として窒化アルミニウムおよびその混晶,ダイヤモンド,六方晶窒化ホウ素を研究対象とし,これら材料の未解明である励起子・電子物性を分光評価によって調査し,さらにはその励起子・電子物性を制御する手段の開発に取り組む.
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