研究開始時の研究の概要 |
本研究では、格子間距離とバンドギャプエネルギーの関係が通常4配位系半導体とは逆の相関となる(正の相関)を示す(Ba,Sn)Sをはじめとする(X,Sn)S;(X=Ca,Sr,Ba)を試料とし、X組成を変化させた際の格子間距離、配位状態、電子構造の関係を実験から明らかにする。さらに、得られる実験データの理解を深化させるため、混晶系における電子構造の理論計算に取り組み、ひいては、半導体材料全般に対し配位状態変を制御がEgを含む電子構造を制御するための新機軸となり得る普遍原理であるか?を明らかにする。
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