| 研究課題/領域番号 |
23H05406
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
安達 千波矢 九州大学, 工学研究院, 教授 (30283245)
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| 研究分担者 |
合志 憲一 九州大学, 工学研究院, 助教 (50462875)
田中 正樹 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (50830387)
儘田 正史 京都大学, 理学研究科, 准教授 (60625854)
中野谷 一 九州大学, 工学研究院, 准教授 (90633412)
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| 研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
601,640千円 (直接経費: 462,800千円、間接経費: 138,840千円)
2024年度: 68,640千円 (直接経費: 52,800千円、間接経費: 15,840千円)
2023年度: 327,080千円 (直接経費: 251,600千円、間接経費: 75,480千円)
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| キーワード | 有機半導体レーザーダイオード / 光共振器構造 / 励起子 / 熱活性化遅延蛍光（TADF) / 電流励起デバイス / 熱活性化遅延蛍光（TADF） |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本提案では、電流励起によるOSLDのレーザー発振の素過程を解明することで、電荷注入からレーザー発振に至る複合的な学理を紐解き、高励起密度下における励起子過程の解明や低閾値レーザー発振を目指した新材料開発及び新規素子構造に取り組み、デバイス性能の飛躍的な向上を図る。高性能レーザー分子の開発においては、高速放射速度定数を有する蛍光分子の創製に取り組み、安定した電流励起レーザーを実現するための材料からデバイス構造まで、電流励起デバイスの開発に包括的に取り組む。
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